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可靠、可重复地测量宽带隙(SiC、GaN)功率半导体动态特征
测量的特征包括开启、关闭、开关切换、反向恢复、栅极电荷以及其他许多特征
同时满足被测器件和用户对测试环境的要求
模块化平台可扩展、可升级,能够对所有功率器件进行测试
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可靠、可重复地测量宽带隙(SiC、GaN)功率半导体动态特征
测量的特征包括开启、关闭、开关切换、反向恢复、栅极电荷以及其他许多特征
同时满足被测器件和用户对测试环境的要求
模块化平台可扩展、可升级,能够对所有功率器件进行测试
作为现成的测量解决方案,PD1500A 可以对宽带隙半导体进行可靠且可重复的测量。该平台不仅可以确保用户的安全性,还能够保护系统的测量硬件。
产品简介 :
可靠、可重复地测量宽带隙(SiC、GaN)功率半导体动态特征
测量的特征包括开启、关闭、开关切换、反向恢复、栅极电荷以及其他许多特征
同时满足被测器件和用户对测试环境的要求
模块化平台可扩展、可升级,能够对所有功率器件进行测试
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